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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
12.6
15.3
写入速度,GB/s
6.8
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
2648
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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