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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
64
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
64
读取速度,GB/s
12.6
16.8
写入速度,GB/s
6.8
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
2052
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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