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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
比较
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Kingston 9905701-017.A00G 16GB
总分
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
12.9
17.0
写入速度,GB/s
7.5
14.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2078
3260
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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