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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
11.9
13.7
写入速度,GB/s
8.1
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2792
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
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