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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
比较
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
总分
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.9
8.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
40
左右 -5% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
38
读取速度,GB/s
12.9
8.7
写入速度,GB/s
7.5
7.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2078
1999
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
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Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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