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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Kingston 9905713-028.A00G 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
15.8
16.3
写入速度,GB/s
11.8
12.3
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
3111
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
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