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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

总分
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

总分
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston HP698651-154-MCN 8GB 需要考虑的原因
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB 需要考虑的原因
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 26
    左右 -18% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    12.4 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 6.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 12.4
  • 写入速度，GB/s
    6.4 left arrow 8.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2003 left arrow 1886

Kingston HP698651-154-MCN 8GB RAM的比较

SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB RAM的比较

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
内存RAM
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
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内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
内存RAM
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
内存RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
内存RAM