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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
比较
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
总分
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
总分
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
12.9
14.5
写入速度,GB/s
7.5
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2078
2620
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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