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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
比较
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
总分
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
40
左右 -122% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
18
读取速度,GB/s
12.9
20.2
写入速度,GB/s
7.5
16.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2078
3536
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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