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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
17.9
写入速度,GB/s
10.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3485
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
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