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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
比较
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
总分
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
11.5
16.6
写入速度,GB/s
6.7
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1857
2947
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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