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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
比较
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
总分
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
总分
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
11.5
14.0
写入速度,GB/s
6.7
9.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1857
2327
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
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