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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.1
16.1
写入速度,GB/s
7.7
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
3010
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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