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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
18.5
写入速度,GB/s
8.9
14.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3434
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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