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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.1
18.0
写入速度,GB/s
7.7
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
3593
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
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