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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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规格
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.1
19.3
写入速度,GB/s
7.7
17.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
3653
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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