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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
27
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
26.4
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.8
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
14
读取速度,GB/s
13.1
26.4
写入速度,GB/s
7.7
19.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
4362
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB RAM的比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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