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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

总分
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

总分
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,201.1 left arrow 14.8
    测试中的平均数值
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 74
    左右 -174% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    74 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    4,178.4 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    2,201.1 left arrow 14.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    508 left arrow 3693

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较

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Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
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内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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内存RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
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内存RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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内存RAM
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Kingston 9905701-029.A00G 16GB
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