RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
74
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3693
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link