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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.1
16.4
写入速度,GB/s
7.7
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
2616
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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