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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
13.1
19.5
写入速度,GB/s
7.7
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
3355
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
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