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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
13.2
16.7
写入速度,GB/s
7.8
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
3324
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
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