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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

总分
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

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Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 40
    左右 -60% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.1 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.6 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 18.1
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 15.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2125 left arrow 3663

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB RAM的比较

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Kingston 9965604-033.D00G 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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