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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
50
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
50
读取速度,GB/s
13.2
13.5
写入速度,GB/s
7.8
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
2424
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
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