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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
11.9
16.2
写入速度,GB/s
8.1
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3135
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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