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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
33
读取速度,GB/s
13.2
14.5
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
2590
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
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