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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
13.2
12.5
写入速度,GB/s
7.8
6.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
1858
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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