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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
40
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
22
读取速度,GB/s
13.2
15.7
写入速度,GB/s
7.8
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
2388
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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