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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
13.3
18.9
写入速度,GB/s
8.5
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3663
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Mushkin 991586 2GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT42GR7MFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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