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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
比较
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
总分
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
5.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
11.1
16.3
写入速度,GB/s
5.8
13.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1807
2850
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
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Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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