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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
比较
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
总分
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
5.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
11.1
14.2
写入速度,GB/s
5.8
9.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1807
2890
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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