RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB

总分
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
star star star star star
V-GEN D4H16GS24A8 16GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 14.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
V-GEN D4H16GS24A8 16GB 需要考虑的原因
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 43
    左右 -87% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 14.5
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 2361

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
内存RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
内存RAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
内存RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
内存RAM