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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
40
读取速度,GB/s
13.5
16.1
写入速度,GB/s
9.3
13.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
3028
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905700-011.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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