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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
比较
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
总分
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
13.2
15.5
写入速度,GB/s
7.3
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1489
2854
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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