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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
比较
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
总分
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
13.2
17.9
写入速度,GB/s
7.3
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1489
3261
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
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