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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
比较
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
总分
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.2
18.2
写入速度,GB/s
7.3
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1489
3463
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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