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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
50
左右 -163% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
19
读取速度,GB/s
10.6
20.8
写入速度,GB/s
7.8
17.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1899
3821
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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