RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
70
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
70
读取速度,GB/s
10.6
15.7
写入速度,GB/s
7.8
7.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1899
1934
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link