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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Kingston 9965600-011.A01G 16GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
总分
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
差异
规格
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Kingston 9965600-011.A01G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
50
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
46
读取速度,GB/s
10.6
10.7
写入速度,GB/s
7.8
8.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1899
2239
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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