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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
30
40
读取速度,GB/s
12.5
11.3
写入速度,GB/s
7.8
7.5
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1917
1654
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB RAM的比较
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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