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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
30
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
20
读取速度,GB/s
12.5
19.4
写入速度,GB/s
7.8
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1917
3217
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB RAM的比较
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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