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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
总分
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
43
读取速度,GB/s
9.7
14.7
写入速度,GB/s
5.2
8.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1731
2250
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
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