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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
9.7
17.3
写入速度,GB/s
5.2
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1731
2648
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
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