Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

总分
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

总分
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

差异

  • 更快的写入速度,GB/s
    3.6 left arrow 3.0
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    38 left arrow 84
    左右 -121% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    7.2 left arrow 5
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    84 left arrow 38
  • 读取速度,GB/s
    5.0 left arrow 7.2
  • 写入速度,GB/s
    3.6 left arrow 3.0
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    878 left arrow 915
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