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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
11.4
18.6
写入速度,GB/s
8.4
14.4
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1906
3491
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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