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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
11.9
15.7
写入速度,GB/s
8.5
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2706
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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