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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.9
20.6
写入速度,GB/s
8.5
14.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
3367
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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