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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
11.9
18.6
写入速度,GB/s
8.5
15.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
3292
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
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