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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
101
左右 58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
101
读取速度,GB/s
13.7
12.1
写入速度,GB/s
8.3
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
1382
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
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