RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
101
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
101
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
1382
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link